Intel si Micron lanseaza tehnologia NAND pe 20 nanometri

Smartphone-urile, tabletele sau SSD-urile au de-acum doua variante de dezvoltare: fie devin mai mici, fie devin mai destepte. Si asta pentru ca Intel si Micron au lansat o noua tehnologie NAND pe 20 de nanometri (nm), care produce o capacitate de stocare de 8 GB intr-un singur dispozitiv NAND cu memorie flash de tip multi-level cell (MLC).

Produs de IM Flash Technologies (IMFT), un joint venture intre Intel si Micron, dispozitivul pe 20 nm, de 8 GB, are numai 118 mm² si reduce cu 30 pana la 40% suprafata placii, fata de tehnologia anterioară pe 25 nm. Acest lucru genereaza o mai mare eficienta a sistemului, ceea ce permite producatorilor de tablet-uri si smartphone-uri sa foloseasca spatiul extra pentru a aduce imbunatatiri, precum o baterie sau un ecran mai mare, ori sa adauge un nou chip cu alte functii.

Noul proces tehnologic este cel mai eficient mod de a creste capacitatea de stocare, avand in vedere si faptul ca ofera cu aproximativ 50% mai mult spatiu de stocare comparativ cu tehnologia pe 25 nm. Procesul tehnologic pe 20 nm ofera performanta si rezistenta asemanatoare generatiei anterioare a tehnologiei.

Dispozitivul pe 20 nm, de 8 GB, este distribuit acum sub forma de mostre, estimandu-se ca va intra in productia de serie in al doilea trimestru al lui 2011. In acest moment, Intel si Micron sunt asteptate sa lanseze si mostre de device-uri de 16GB, creand capacitati de stocare de pana la 128 GB intr-un singur SSD care e mai mic decat un timbru postal din Statele Unite.